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Micron es la segunda gran empresa que anuncia el envío de muestras de sus módulos DDR3 de última generación y afirma ser la primera compañía en distribuir dispositivos de 1 Gb con capacidad de hasta 2 GB (?). Las nuevas memorias DDR3 prometen el doble de velocidad que las actuales DDR2 y se espera que esten disponibles para computadoras de escritorio de alto rendimiento a finales del 2007.

La transición de las memorias DDR1 a DDR2 comenzó hace más de tres años atrás, con el desarrollo por parte de Hynix del primer dispositivo de 1 Gb de memoria DDR2 en Agosto del 2003 y recientemente avanzó hasta su última fase con la introducción por parte de AMD de los procesadores de la serie Socket AM2. La compatibilidad de AMD con memorias DDR2 800 Mhz será la etapa final de los dispositivos predominantes, mientras en el horizonte la próxima generación de las memorias DDR comienzan a aparecer.

Siguiendo los anunciios de los primeros prototipos de Samsung y los envíos de Elpida a INTEL, Micron afirma hoy que esta haciendo muestras de sus módulos y chips de 1 Gb DDR3. Estos están fabricados con tecnología de 78 nm y están siendo distribuídos en 512 MB, 1 Gb y 2 Gb. Las versiones disponibles en un principio incluyen DDR3-800 Mhz y DDR3-1066 Mhz y Micron dijo que pueden haber versiones limitadas de DDR3-1333 Mhz.

Por el momento no hay ninguna plataforma que soporte este tipo de memoria hoy en día, pero las empresas que desarrollan chips, incluída INTEL, ya a comenzado a desarrollar plataformas que soporten DDR3 (INTEL ya ha estado recibiendo este tipo de memorias de Elpida desde Noviembre del año pasado) y esperan que el año que viene sea el gran debut.

INTEL fijará su tecnología estandard de memorias como DDR3 1333Mhz en el año 2008, mientras Micron planea comenzar la producción en masa de las memorias DDR3 a mediados del año que viene.

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